Negli ultimi anni, con il progresso della tecnologia dei circuiti integrati (IC), le relative applicazioni dei circuiti integrati sono state sviluppate rapidamente.Il target dello sputtering in lega di alluminio ad altissima purezza, come materiale di supporto nella produzione di interconnessioni metalliche per circuiti integrati, è diventato un argomento scottante nella recente ricerca nazionale.l'editore di RSM ci mostrerà le caratteristiche del target di sputtering in lega di alluminio ad alta purezza.
Al fine di migliorare ulteriormente l'efficienza dello sputtering del target di sputtering del magnetron e garantire la qualità delle pellicole depositate, un gran numero di esperimenti dimostrano che esistono determinati requisiti per la composizione, la microstruttura e l'orientamento dei grani del target di sputtering in lega di alluminio ad altissima purezza.
La dimensione e l'orientamento dei grani del target hanno una grande influenza sulla preparazione e sulle proprietà dei film IC.I risultati mostrano che la velocità di deposizione diminuisce con l'aumentare della dimensione del grano;Per il bersaglio di sputtering con la stessa composizione, la velocità di sputtering del bersaglio con granulometria piccola è più veloce di quella del bersaglio con granulometria grande;Quanto più uniforme è la granulometria del target, tanto più uniforme sarà la distribuzione dello spessore delle pellicole depositate.
Con lo stesso strumento di sputtering e parametri di processo, la velocità di sputtering del bersaglio in lega Al Cu aumenta con l'aumento della densità atomica, ma è generalmente stabile in un intervallo.L'effetto della dimensione dei grani sulla velocità di sputtering è dovuto al cambiamento della densità atomica con il cambiamento della dimensione dei grani;Il tasso di deposizione è influenzato principalmente dall'orientamento dei grani del bersaglio in lega Al Cu.Garantendo la proporzione dei piani cristallini (200), l'aumento della proporzione dei piani cristallini (111), (220) e (311) aumenterà il tasso di deposizione.
La dimensione e l'orientamento dei grani dei target in lega di alluminio ad altissima purezza vengono regolati e controllati principalmente mediante omogeneizzazione del lingotto, lavorazione a caldo e ricottura di ricristallizzazione.Con lo sviluppo delle dimensioni del wafer a 20,32 cm (8 pollici) e 30,48 cm (12 pollici), anche la dimensione del target sta aumentando, il che impone requisiti più elevati per i target di sputtering in lega di alluminio ad altissima purezza.Per garantire la qualità e la resa della pellicola, i parametri di lavorazione target devono essere rigorosamente controllati per rendere uniforme la microstruttura target e l'orientamento dei grani deve avere strutture piane forti (200) e (220).
Orario di pubblicazione: 30 giugno 2022