La fotonica basata sul silicio è attualmente considerata la piattaforma fotonica di prossima generazione per le comunicazioni integrate.Tuttavia, lo sviluppo di modulatori ottici compatti e a bassa potenza rimane una sfida.Qui riportiamo un gigantesco effetto elettro-ottico nei pozzi quantici accoppiati Ge/SiGe.Questo effetto promettente si basa sull’anomalo effetto quantistico Stark dovuto al confinamento separato di elettroni e lacune in pozzi quantici accoppiati Ge/SiGe.Questo fenomeno può essere utilizzato per migliorare significativamente le prestazioni dei modulatori di luce rispetto agli approcci standard sviluppati finora nella fotonica del silicio.Abbiamo misurato cambiamenti nell'indice di rifrazione fino a 2,3 × 10-3 con una tensione di polarizzazione di 1,5 V con una corrispondente efficienza di modulazione VπLπ di 0,046 Vcm.Questa dimostrazione apre la strada allo sviluppo di efficienti modulatori di fase ad alta velocità basati su sistemi di materiali Ge/SiGe.
Orario di pubblicazione: 06-giu-2023